Rasterelektronenmikroskopie (REM)

Das Rasterelektronenmikroskop (REM, oder SEM vom engl. scanning electron microscope) eignet sich zur schnellen mikromorphologischen und analytischen Untersuchung von Oberflächen.

Das Auflösungsvermögen des REM deckt den Bereich zwischen dem eines Lichtmikroskops und dem eines Transmissionselektronenmikroskops (TEM) ab, mit unserem Gerät bis zu 3 nm (bei 30 kV). Dank der großen Schärfentiefe erlaubt es gestochen scharfe Abbildungen sowohl von glatten als auch von sehr rauen Oberflächen. Der Detektor für Rückstreuelektronen (BSE vom engl. back-scattered electrons) liefert Informationen zur lateralen Verteilung leichter und schwerer Elemente. Ein eingebautes energiedispersives Spektrometer (EDS) ermöglicht quantitative Elementanalysen an einem Punkt, entlang einer Linie und in einer Fläche sowie die Anfertigung von Elementverteilungskarten von der zu untersuchenden Oberfläche.

Geräte

REM: JEOL JSM-6510 (W Filament, 0,5 – 30 kV Beschleunigungsspannung)

EDS: Oxford Instruments INCAx-act

Probenanforderungen

• maximale Probengröße: 32 mm im Durchmesser (analytische Abdeckung)
• vakuumstabil (nicht entgasend)
• poliert und unpoliert
• gut elektrisch leitend
• für schlecht/nicht elektrisch leitende Proben stehen zwei Bedampfer zur Verfügung:
  • C-Bedampfer: POLARON CC7650 Carbon Coater
  • Au/Pd-Bedampfer: POLARON SC7620 Mini Sputter Coater